此外，喜报新能项专利用同步加速器软X射线光电子能谱（SOXPES）对SEI成分进行了分析。
这些结果为理解多孔蜂窝状单层膜的生长机理提供了原子尺度的视角，特变对直接生长其他具有相同结构的单层膜具有指导意义。原子分辨的STM图像（图1b的插图）证实了有序的α-Sb结构，电工大奖没有明显的缺陷。
作者相信这样的两步生长行为对于其他类似结构的单分子层来说是普遍的，源两无论衬底的选择是什么。α-锑烯的堆叠蜂窝晶格是由两个垂直波状的原子层组成的，利斩如图1a所示。经过连续退火后，获自半层区域最终消失。
洼陷区比突出区低约1.6Å，治区突出区称为半层Sb。双项图2.沉积在SnSe衬底上的Sb膜在退火后的形貌演变。
喜报新能项专图3.半层Sb的各种原子结构。
特变α-锑烯的独立晶格常数沿曲折和扶手椅型方向分别为4.36和4.74Å。本内容为作者独立观点，电工大奖不代表材料人网立场。
当电位为正时，源两带正电的HOPG可以将TFSI−拉向表面并排斥EMIM+;在负电位时，EMIM+会向表面移动，而TFSI -则会被排斥。这些溶剂化层，利斩也被称为双电层(EDLs)，是实现理想的固液界面功能的关键。
由于分子与固体表面的相互作用以及局部电场的存在，获自液体离子/分子倾向于在固体表面附近重新组织形成离散层。工作电极是新切割的高度定向热解石墨(HOPG)，治区而计数电极和准参考电极都是铂。
